一、測試目的和意義:

　　大多數(shù)產(chǎn)品所使用的環(huán)境都是在大氣中，而大多數(shù)的腐蝕發(fā)生在大氣環(huán)境中，大氣中含有氧氣、濕度、溫度變化和污染物等腐蝕成分和腐蝕因素。大氣環(huán)境導(dǎo)致金屬表面形成水膜，在大氣中存在H2S、SO2、NO2、Cl2等有害氣體溶入金屬表面上所形成的水膜中，作為腐蝕性離子從而加速腐蝕進(jìn)程。

　　在一定的溫度和濕度的環(huán)境下，利用H2S、SO2、NO2、Cl2等有害氣體對材料或產(chǎn)品進(jìn)行加速腐蝕，重現(xiàn)材料或產(chǎn)品在一定時(shí)間范圍內(nèi)所遭受的破壞程度。考核材料及防護(hù)層的抗氣體腐蝕的能力，以及相似防護(hù)層的工藝質(zhì)量比較，也可以用來考核某些產(chǎn)品的抗氣體腐蝕的能力。

　　二、測試應(yīng)用范圍:

　　通信產(chǎn)品及周邊零部件、汽車電子、電子元器件、連接件、金屬材料、電子電工等產(chǎn)品的防護(hù)層以及電子電工產(chǎn)品。

　　三、測試應(yīng)用標(biāo)準(zhǔn):

　　1、ISO21207:2004(E)

　　2、GB/T2423.51-2000(IEC68-2-60:1995)電工電子產(chǎn)品環(huán)境試驗(yàn)第2部分:試驗(yàn)方法試驗(yàn)Ke:流動(dòng)混合氣體腐蝕試驗(yàn);

　　3、GB/T2423.33-2005電工電子產(chǎn)品環(huán)境試驗(yàn)第2部分:試驗(yàn)方法試驗(yàn)Kca:高濃度二氧化硫試驗(yàn);

　　4、GB/T2423.19-1981電工電子產(chǎn)品基本環(huán)境試驗(yàn)規(guī)程試驗(yàn)Kc:接觸點(diǎn)和連接件的二氧化硫試驗(yàn)方法。